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RTS-9型雙電測四探針鋰電極片電阻測試儀是一款可以測量鋰電池極片電阻率的儀器。采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術(shù)利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控制下進行兩次電測量，能自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響。

RTS-8四探針電阻率測試儀器是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。 儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。

FT/HP系列四探針測試儀探頭 采用綜合性能優(yōu)異的航空工程塑料、機械結(jié)構(gòu)優(yōu)良彈huang片、耐磨和硬度高的探針研制的測量數(shù)據(jù)穩(wěn)定、可靠、準(zhǔn)確度高、耐用性能好四探針探頭。所有技術(shù)指標(biāo)符合國家標(biāo)準(zhǔn)，同時符合ASTM標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)規(guī)定； 可安裝于探針測試臺也可手持探頭對樣品進行測試，如對樣品手持探頭測試可搭配PH-Ⅱ型把手有效提高測試效率,此測試方式廣泛應(yīng)用于硅多晶料、頭尾料、鍋底料的電阻率分揀；

手動電動四探針測試儀測試臺 S-2A型四探針測試臺 專為實驗室使用而制作的。該測試臺設(shè)計別致、操作簡易、重量輕、并有微調(diào)手輪，便于探針與樣品的精確接觸。 載物臺：方盤140mm*150mm,帶刻度線，便于準(zhǔn)確定位。 有效行程：40mm、重量：2kg 粗調(diào)手輪：20mm/圈、微調(diào)手輪：0.2mm/圈。

RTS-4/5/8/9四探針薄膜電阻率測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。 儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。

SB100A/21A四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測量儀是SB100A/21（及SB100A/3）的升級版，其為用戶提供了使用SB100A/3進行四探針測試及實驗的配套軟件，可運行于PC機上，能兼容運行在Winxp和Win7系統(tǒng)中，用于自動獲取實驗臺的實驗數(shù)據(jù)，并根據(jù)條件生成曲線和報表，輔助實驗人員自動完成實驗，直觀的分析數(shù)據(jù)，獲得實驗結(jié)論，保存實驗數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達10-5—106Ω。

SB100A/20A四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測量儀是SB100A/20（及SB100A/2）的升級版，其為用戶提供了使用SB100A/20進行四探針測試及實驗的配套軟件，可運行于PC機上，能兼容運行在Winxp和Win7系統(tǒng)中，用于自動獲取實驗臺的實驗數(shù)據(jù)，并根據(jù)條件生成曲線和報表，輔助實驗人員自動完成實驗，直觀的分析數(shù)據(jù)，獲得實驗結(jié)論，保存實驗數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達10-6—106Ω。

CV-5000型電容電壓特性測試儀 在集成電路特別是MOS電路的生產(chǎn)和開發(fā)研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監(jiān)控測試手段，通過C-V測試達到優(yōu)化生產(chǎn)過程中的工藝參數(shù)，提高IC成品率。

CV-2000型電容電壓特性測試儀 作為組成半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)的PN結(jié)具有電容效應(yīng)（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN結(jié)勢壘區(qū)變寬，勢壘電容變小。

LT-2型單晶少子壽命測試儀 是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。